Studies of radiation effects on semiconductor devices at JAEA

大島 武

Proceedings of the 30th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology Hosei University, p.9 - 16, 2011/12

半導体耐放射線性研究グループがこれまで行ってきた半導体の耐放射線性に関する研究のうち、特に、宇宙用太陽電池と炭化ケイ素(SiC)半導体デバイスに関する成果を放射線照射・評価技術の開発とも併せて紹介する。現在、宇宙ではInGaP/GaAs/Geの積層構造からなる三接合太陽電池が主流となっているが、GaAsサブセルの耐放射線性が低いため、照射とともにGaAsサブセルで発電可能な電流量が減少し、電流を制限するサブセルが当初のInGaPサブセルからGaAsサブセルに移ることで急激な短絡電流の劣化に至るという「劣化メカニズム」を説明する。また、SiCでは、SITと呼ばれる接合型の構造を持つトランジスタが、10MGyという高線量域でも正常に動作するという優れたトータルドーズ耐性を実証したことを紹介する。